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  • ZDH-300/3直流高壓發(fā)生器
    ZDH-300/3直流高壓發(fā)生器

    ZDH-300/3直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時間:2026-08-14型號:
  • ZDH-200/2直流高壓發(fā)生器
    ZDH-200/2直流高壓發(fā)生器

    ZDH-200/2直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時間:2026-08-14型號:
  • Z-VI-60kV/2mA超輕型直流高壓發(fā)生器
    Z-VI-60kV/2mA超輕型直流高壓發(fā)生器

    Z-VI-60kV/2mA超輕型直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時間:2026-08-14型號:
  • ZGF(S) -120/2智能型直流高壓發(fā)生器
    ZGF(S) -120/2智能型直流高壓發(fā)生器

    ZGF(S) -120/2智能型直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時間:2026-08-14型號:
  • Z-VI 80kV一體化直流高壓發(fā)生器
    Z-VI 80kV一體化直流高壓發(fā)生器

    Z-VI 80kV一體化直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時間:2026-08-14型號:
  • ZGF(S) -200kV/5mA智能型直流高壓發(fā)生器
    ZGF(S) -200kV/5mA智能型直流高壓發(fā)生器

    ZGF(S) -200kV/5mA智能型直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時間:2026-08-14型號:
  • 直流高壓發(fā)生器 DHVT200-5 臺(200kV/5mA)
    直流高壓發(fā)生器 DHVT200-5 臺(200kV/5mA)

    直流高壓發(fā)生器 DHVT200-5 臺(200kV/5mA)采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時間:2026-08-14型號:
  • 直流高壓發(fā)生器 DHVT200-400-3 套
    直流高壓發(fā)生器 DHVT200-400-3 套

    直流高壓發(fā)生器 DHVT200-400-3 套采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時間:2026-08-14型號:
  • 數(shù)字式直流高壓發(fā)生器 FVG系列FVG-120/3
    數(shù)字式直流高壓發(fā)生器 FVG系列FVG-120/3

    數(shù)字式直流高壓發(fā)生器 FVG系列FVG-120/3采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

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