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  • GWZG-II系列智能化直流高壓發(fā)生器
    GWZG-II系列智能化直流高壓發(fā)生器

    GWZG-II系列智能化直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
  • GWZG-I系列直流高壓發(fā)生器
    GWZG-I系列直流高壓發(fā)生器

    GWZG-I系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
  • GT-ZGF數(shù)字式直流高壓發(fā)生器
    GT-ZGF數(shù)字式直流高壓發(fā)生器

    GT-ZGF數(shù)字式直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
  • ZGS-XⅡ型直流高壓發(fā)生器
    ZGS-XⅡ型直流高壓發(fā)生器

    ZGS-XⅡ型直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
  • EDZGF直流高壓發(fā)生器
    EDZGF直流高壓發(fā)生器

    EDZGF直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
  • XK系列直流高壓發(fā)生器
    XK系列直流高壓發(fā)生器

    XK系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
  • SZG250KV/3mA高壓直流發(fā)生器
    SZG250KV/3mA高壓直流發(fā)生器

    SZG250KV/3mA高壓直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
  • Z-VI 60kV/5mA直流高壓發(fā)生器
    Z-VI 60kV/5mA直流高壓發(fā)生器

    Z-VI 60kV/5mA直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
  • FHGF-1-200/2系列直流高壓發(fā)生器
    FHGF-1-200/2系列直流高壓發(fā)生器

    FHGF-1-200/2系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,先應(yīng)用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式,并能承受額定電壓放電而不損壞。

    時(shí)間:2026-08-14型號(hào):
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